西门子6ES7453-3AH00-0AE0性能参数
CC292:日期/时钟电池卡,用于CPU 221和CPU 222两种不具备内 部实时时钟的CPU,以提供H期/时钟功能,同时提供内存后备电池。西门子6ES7453-3AH00-0AE0性能参数
• BC293:电池卡D为有类型的CPU提供数据保持的后备电池。电池 在级电容放电完毕后起作用。
S7-200 CPU扩展模块
S7 - 200 CPU为了扩展I/O点和执行特殊的功能,可以连接扩展模块 (CPU 221除外扩展模块主要有如下几类:
数字量I/O模块;
模拟量I/O模块;
通讯模块;
特殊功能模块。西门子6ES7453-3AH00-0AE0性能参数
一、数字量I/O扩展模块
EM221:数字量输人扩展模块。包括3种类型:
8点24 V DC输人*
8点AC丨20/230 V输人;
9 16 点 24 V 1〕C:输人。
EM222:数字错输出扩展榄块,包括5神类型:
8点24 V DC(晶体管)输出;
8点继电器输出;
8 点 AC 1.20/230 V 输出 *
4点24 V DC.输出,每点5 A;
4点继电器输出/每点10 A。
EM 223:数字M输人/输出扩展模块,共有6种类型:
4点24 V IX:输人/4 V DC输出;
4点24 V DC输人/4 V继电器输出;
8点24 V DC输人/8 V DC输出>
8点24 V DC输人/8 V继电器输出;
16点24 V DC输人/16 VDC输出;
16点24 V DC输人A6V继电器输出,
各种模块具有各自的订货号.
数字:.M:扩展模块通用规范如表1 - 3列u 西门子6ES7453-3AH00-0AE0性能参数
二、模拟量I/O扩展模块
EM 231:模拟ft输人模块,4通道电流/电压输人;
EM 232:模拟1输出模块,2通道电流/_电输出;
EM 235:模拟迸输人/_输出模块d通道电流/电].i:输人、1通道电流/电JK 输出。
三、温度扩展模块
温度扩展模块是模拟量模块的特殊形式。它们是: KM 231 TC:热电偶输人模块,4输人通道;
EM 231 RTD:热电阻输入模块,2输人通道,
四、特殊功能模块
S7 - 200还提供了一些特殊模块,用以完成特定的任务。例如:
253:定位控制模块。它能产生脉冲串,用于步进电机和伺服电机的速度和位置的开环控制。西门子6ES7453-3AH00-0AE0性能参数
S7-200 PP西门子6ES7453-3AH00-0AE0性能参数I网络通讯
PPI(点对点接口)是西门子为S7- 200系统开发的通汛协议。 PPI是一种书-从协议:主站设备发送要求到从站设备,从站设备响应,从站不主动发信息,只是等待主站的要求和对要求作出响应。PPI网络中可以存多个主站。PPI并不限制与任意一个从站通讯.的主站数审,但是在1个网段中,通讯站的数量不能过32个。带中继器的网络结构如图1 -6示
图I带中继器的网络结构
S7 -200 CPU上集成的通讯口支持PPI通讯,不iS离的CPU通讯口支 持的标准通讯距离为50 m,如果使用对RS 4SS中继器,町以达到 RS-4S5的标准通讯距离1 200 m。PP] £持的通tU速率为9. 6 K波特、 19,2 K波特和187.5 K波特。
运行編程软件Step7 - JVticr〇/WINf32的计算机可以认为是一个 PPI主站。要荻得1S7. 5 K波特的JPP1通讯速率,必须有CP卡、Smart: RS,232/PPI电缆或Smart USB/TPI电缆作为编程 接口,其他设备,如TD200文本M示器/m70 micra等操作面板(HM]),也可 以通过PPI协议和S7 - 200 CPU连接。图1 - 7示为挂在Profikls^DP网络上的S7 - 200.。
S7-200 数据保持方式及注意事项
S7 200提供几种保持数据的方法,用户根据芯要灵活选用:
CPU中内置级电容,在不太长的断电期间内为保持数据和时钟提供 电源,不需要附件;
CPU上附加电池卡,与内置趙级电容配合,长期为时钟和数据保持提供电源;
使用数据模块,*保存不需要更改的数据;
编程时设置系统块,可在CPU断电时自动*保存至多14个字节的数据;
在用户程序中编程,根据需要*保存数据。
西门子6ES7453-3AH00-0AE0性能参数 一、S7 -200的数据存储区
S7-200 CPU中的数据#储冈分为两类:易失性的RAM存储区,以及*保存的EEPROM(■存储区。RAM存储区需要为其提供电源方能保持其中的数据不丟失。
S7 - 200中的V数据存储区、M存储区都属于易失性数据存储区。要保 存T(定时器)和C(计数器)数据,也需要提供电源。
S7 -200 CPU提供 EEPROM存储器。EEPROM不需要另外的供电就能水久保存数据。EKPROM对应于RAM中的V存储区和M存储区的--部 分,要把数据存人EEPROM,需要做一呰设置•或者编程.
在S7 200項目的系统坱中,有设置RAM数据保持区的选项。西门子6ES7453-3AH00-0AE0性能参数{ 如果选中某个数据区,则〔TMJ会在断电时通过内置级电容和 电池卡或者选择了不保持某+数据区的数据.则下次CTLI J 上电时,会把EKPROM中相应的区域的内容复制到RAM中。
二、内置电容保持数据
CPU内置级电容,在短期断电期间为数据保持和实时时钟(如果有)提供电源。
断电后,CPU 221和CPU 222的级电容可提供约50 h的数据保持, CPU 224 :TU 226、CPU 226XM 可保持数据约90 ht,级电容在CPU上电时充电4为保证获得上述指标的数据保 持时间
*靠电池为(TU提供数据备份电源时,电池寿命约200天,西门子6ES7453-3AH00-0AE0性能参数
三、使用数据块
用户编程时可以编辑数据块,数据块用于给S7-2()0 CPU的V存储区赋予初始值。由于数据块在S7 - 200项目下载到CPU中时,直接存储到EEPROM 中,以数据块的内容永远不会丢失。
数据块可以用于保存程序中用到的不改变的一些参数。
四、断电自动保存
S7 - 200 CPU的M存储区有14字货(MI3◦〜MB13 >,以在C'PU断电时自动将其中的内容:EEPROM的相应区域中,则数据可以水久保存。
默认情况下存储区的这14个字节未设®为迮断电时自动保存,要在S7-200项目的系统块中进行设置。
五、编程保存数据
在程序中利用SMB31和SMW32特殊存储器,可以把V存储区中的任意地址的数据写*保次操 作可以写人1个字节、宇西门子6ES7453-3AH00-0AE0性能参数或者双字长度的数据。多次执行操作,可以写人多个数据。
由于EEPROVI的写操作次数有限(*少10万次,典型100万 次),在程序中必须注意写入操作的频度对于类似由操作人员不定期更改的工艺参数等数据,可以在用户 程序中判断其状态,在变化之后执行写入EEPROM的操作。
S7-200PLC*I/O配置
I/O地址分配规则
S7 200按照I/O的类型为其分配不同的地址,共有4类:
DI:数字量输入
DO:数字量输出
AI:模拟量输入
AO:模拟量输出 西门子6ES7453-3AH00-0AE0性能参数
数字输人; 參I/O数宇贵输出; ?A1:模拟埴输人f ?A():模拟讨输出。
每一类I/O分别排列地址。从CPU开始算起,I/O点从左到右按由小到大的规律排列D扩展模块的类型和位置一旦确定,则它的I/O点地址也随之决定。
*I/O
S7 -20CPU虽然具有相同的I/O映象区,伹不同CPU的*I/O 际上取决于它们能带的扩展模块数。
CPU 221:0个扩展模块;
CPU 222:2个扩展模块
CPU 224:7个扩展模块
CPU 226/CPU 226 XM:7 个扩展模块。
*I/O数目不但取决于CPU能扩展的模块数量,还取决于CPU内部电源能提供的5V DC电源容量。 西门子6ES7453-3AH00-0AE0性能参数